低功耗CMOS电路设计 逻辑设计与CAD工具

2 (p1): 第1部分 概述
2 (p2): 第1章 低功耗电子技术的发展历史1.1 引言
3 (p3): 1.2 早期的计算机
4 (p4): 1.3 晶体管和集成电路
9 (p5): 1.4 低功耗消费类电子产品
13 (p6): 1.5 功耗的快速增加
16 (p7): 1.6 结论
17 (p8): 参考文献
19 (p9): 第2章 深亚微米下体硅技术与SOI技术的进展2.1 引言
19 (p10): 2.2 ITRS概述
21 (p11): 2.3 晶体管的饱和电流和亚阈值电流
25 (p12): 2.4 栅和其他隧道电流
27 (p13): 2.5 晶体管电气参数的统计离差
29 (p14): 2.6 栅氧化层物理厚度和电气厚度
30 (p15): 2.7 晶体管的新结构
32 (p16): 2.8 结论
32 (p17): 参考文献
35 (p18): 第3章 CMOS纳米技术中的漏电流
35 (p19): 3.1 引言
35 (p20): 3.2 MOSFET器件的ILEAK构成
44 (p21): 3.3 尺寸缩放
46 (p22): 3.4 电路级
48 (p23): 3.5 结论
49 (p24): 参考文献
53 (p25): 第4章 微电子学、纳电子学及电子学的未来4.1 引言
53 (p26): 4.2 作为纳电子器件的硅MOSFET
55 (p27): 4.3 硅MOSFET的最终极限
56 (p28): 4.4 硅MOSFET的应用极限
58 (p29): 4.5 硅MOSFET以外的晶体管
60 (p30): 4.6 FET以外的晶体管
61 (p31): 4.7 从微电子学到纳电子学
62 (p32): 4.8 结论
62 (p33): 4.9 致谢
63 (p34): 参考文献
65 (p35): 第5章 片上光互连的高级研究
65 (p36): 5.1 互连问题
67 (p37): 5.2 自顶向下的互连设计
70 (p38): 5.3 信号通路中的无源光子器件
72 (p39): 5.4 用于信号转换的有源器件
73 (p40): 5.5 转换电路
76 (p41): 5.6 键合问题
77 (p42): 5.7 互连性能（光学系统与电学系统的比较）
80 (p43): 5.8 研究方向
81 (p44): 5.9 致谢
81 (p45): 参考文献
84 (p46): 第2部分 低功耗电路
84 (p47): 第6章 深亚微米工艺设计模型
84 (p48): 6.1 引言
84 (p49): 6.2 电流模型
87 (p50): 6.3 描述性能所使用单位的定义
93 (p51): 6.4 在标准单元库中的应用
96 (p52): 6.5 在低功耗设计中的应用
98 (p53): 6.6 结论
99 (p54): 参考文献
101 (p55): 第7章 逻辑电路和标准单元
101 (p56): 7.1 引言
101 (p57): 7.2 逻辑族
107 (p58): 7.3 低功耗和标准单元库
113 (p59): 7.4 对于特定应用的逻辑类型
117 (p60): 7.5 结论
117 (p61): 参考文献
119 (p62): 第8章 低功耗超高速动态逻辑电路8.1 引言
119 (p63): 8.2 单相时钟锁存器和触发器
126 (p64): 8.3 高通量CMOS电路技术
130 (p65): 8.4 快速有效的CMOS功能电路
136 (p66): 8.5 动态逻辑的前景
136 (p67): 8.6 结论
137 (p68): 参考文献
139 (p69): 第9章 低功耗算法运算器
139 (p70): 9.1 引言
140 (p71): 9.2 加法
145 (p72): 9.3 乘法
150 (p73): 9.4 其他运算器、数字系统和限制
153 (p74): 参考文献
155 (p75): 第10章 降低动态功耗的电路设计方法10.1 引言
155 (p76): 10.2 动态功耗的形成
157 (p77): 10.3 电路结构的平行化
163 (p78): 10.4 改变固定电压降低功耗技术
170 (p79): 10.5 不改变电路主体设计技术方法来降低电路的功耗
172 (p80): 10.6 改变电路主体结构的设计技术
174 (p81): 10.7 结论
174 (p82): 参考文献
177 (p83): 第11章 低功耗设计中的硬件描述语言11.1 引言
177 (p84): 11.2 基础知识
180 (p85): 11.3 减少毛刺
181 (p86): 11.4 时钟门控技术
189 (p87): 11.5 有限状态机
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